【全球終端需求溫和復(fù)蘇，AI助力開啟新一輪創(chuàng)新周期】
據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù)，2024 年第三季度全球智能手機(jī)銷量同比增長(zhǎng) 2%， 實(shí)現(xiàn)連續(xù)四個(gè)季度的正增長(zhǎng)，也是自18 年以來(lái)首 次實(shí)現(xiàn)第三季度增長(zhǎng);同時(shí)其銷售額和平均售價(jià)亦分別同比增長(zhǎng) 10%和 7%，其中拉丁美洲、西歐和日本的增長(zhǎng)率最 高;據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，第三季度我國(guó)智能手機(jī)出貨量同比增速達(dá) 3.2%，近四個(gè)季度持續(xù)復(fù)蘇。
自2017 年以來(lái)智能手機(jī)進(jìn)入存量時(shí)代，2022-2023 年全球出貨量連續(xù)同比下降 11.3% 和 3.2%，且 2023 年全球出貨量創(chuàng)下十年以來(lái)最 低水平;在 AI 賦能下，智能手機(jī)有望進(jìn)入新一輪創(chuàng)新周期，繼而開啟又一輪換機(jī)潮，蘋果、三星、Oppo、vivo、榮耀、華為及小米等各大手機(jī)廠商已紛紛圍繞 AI 展開深度布局; 疊加當(dāng)前全球主要經(jīng)濟(jì)體持續(xù)復(fù)蘇，國(guó)內(nèi)以舊換新、以及各地紛紛推出的手機(jī)相關(guān)補(bǔ)貼政策等因素，一定程度上亦對(duì)刺激終端需求市場(chǎng)回暖起到積極作用。
從終端載體來(lái)看，除手機(jī)之外，AI 眼鏡等產(chǎn)品亦值得關(guān)注。人類接受的信息超過(guò) 80%來(lái)自視覺，視覺理解將進(jìn)一步拓展大模型的能力邊界，降低大模型交互門檻，解鎖更多應(yīng)用場(chǎng)景。AI 眼鏡作為視覺感知入口，通過(guò)攝像頭的嵌入， 實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)視覺和人類視覺的結(jié)合，且具有便攜性和可交互性，是端側(cè) AI 理想 的落地場(chǎng)景之一。
據(jù) IDC 統(tǒng)計(jì)，截至2024 年三季度，全球智能眼鏡出貨量?jī)H為 150 萬(wàn)臺(tái)，滲透提升空間廣闊。 2025 年，預(yù)計(jì)在 AI 應(yīng)用蓬勃發(fā)展趨勢(shì)下，全球科技類公司將在 AI 端側(cè)產(chǎn)品方面進(jìn)一步發(fā)力，SoC芯片、存儲(chǔ)、算力等領(lǐng)域有望迎來(lái)量?jī)r(jià)齊增。
【存儲(chǔ)市場(chǎng)現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化，HBM 驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)成長(zhǎng)】
受下游庫(kù)存高企及需求疲軟的影響，23 年上半年存儲(chǔ)產(chǎn)品經(jīng)歷了量?jī)r(jià)持續(xù)下跌，而后隨著存儲(chǔ)廠商主動(dòng)減產(chǎn)及終端復(fù)蘇，下游庫(kù)存水位逐漸回歸正常，23 年 9 月DRAM價(jià)格開始回升，后續(xù)期間小幅波動(dòng)，直至 24 年 7 月再度走低， 截至 24 年 12 月 27 日，通用 PC DRAM 產(chǎn)品(DDR4 8Gb 1Gx8)現(xiàn)貨平均價(jià)為 1.46 美元， 較 7 月高點(diǎn)下跌 20.44%;
NAND 方面，以存儲(chǔ)卡和 USB 設(shè)備通用 NAND 產(chǎn)品(128Gb 16Gx8 MLC)來(lái)看，23 年 10 月- 24 年 3 月連續(xù)上漲，后續(xù)期間價(jià)格基本穩(wěn)定，直至 9 月重回跌勢(shì)，截至 24 年 10 月底，128Gb 16Gx8 MLC 合約價(jià)為 3.07 美元，9-10 月環(huán)比降幅分別為 11.43%、29.26%;具體來(lái)看，企業(yè)級(jí)市場(chǎng)由于 AI 增長(zhǎng)，景氣情況要優(yōu)于消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，據(jù) Trend Force 數(shù)據(jù)，企業(yè)級(jí) SSD 平均售價(jià)在 24 年第三季度環(huán)比增長(zhǎng)約 15%。
結(jié)合存儲(chǔ)芯片龍頭美光財(cái)報(bào)來(lái)看，該公司 2025 財(cái)年第 一財(cái)季( 2024 年 9 月 1 日至 11 月 30 日)DRAM 業(yè)務(wù)在 HBM 帶動(dòng)下環(huán)比增長(zhǎng) 20%，而 NAND 業(yè) 務(wù)卻因受傳統(tǒng)領(lǐng)域如手機(jī)、汽車、工業(yè)等需求端拖累環(huán)比下滑 5%。
從存儲(chǔ)整體市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，受益于AI 驅(qū)動(dòng)下的服務(wù)器需求拉動(dòng)， 2024 年前三季度全球存儲(chǔ)市場(chǎng)同比增幅達(dá) 96.8%，市場(chǎng)規(guī)模為1202.25 億美元，其中 第三季度環(huán)比增長(zhǎng) 8.3%，其中DRAM 市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增加 10.4%至 258.5 億美元; NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)5.7%至 190.2 億美元;據(jù) WSTS 預(yù)測(cè)，24 年全年存儲(chǔ)市場(chǎng)有望增長(zhǎng) 81%。
中長(zhǎng)期來(lái)看，由于 AI 領(lǐng)域規(guī)?；逃脤?duì)存儲(chǔ)的容量、數(shù)據(jù)傳輸速度、存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)安全均提出了更高的要求，因此高帶寬存儲(chǔ)HBM需求迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，據(jù) Trend Force 測(cè)算， 24 年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 183 億美元，同比增幅超300%，預(yù)計(jì) 25 年市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步增至 300 億美元，疊加終端有望開啟新一輪創(chuàng)新周期，將 為存儲(chǔ)新一輪成長(zhǎng)提供更多的驅(qū)動(dòng)因素。
【半導(dǎo)體為科技角逐重要領(lǐng)域，政策端持續(xù)強(qiáng)化加速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程】
從外部環(huán)境來(lái)看，當(dāng)前面臨的相關(guān)技術(shù)限制進(jìn)一步加碼， 24 年 12 月 2 日BIS 修訂了《出口管理?xiàng)l例》(EAR)，新增限制 HBM 的技術(shù)參數(shù)，主流 HBM 產(chǎn)品受管制; 24 年 12 月 23 日，美國(guó)貿(mào)易代表辦公室(USTR)宣布，根據(jù)《1974 年貿(mào)易 法》第 301 條，針對(duì)中國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)的行為、政策和做法展開調(diào)查(簡(jiǎn)稱“301 調(diào)查 ”)，此次調(diào)查主要聚焦于成熟制程的半導(dǎo)體產(chǎn)品，即 28 納米及以上的非最 先進(jìn)工藝芯片。
同時(shí)美國(guó)商務(wù)部 12 月 20 日表示，根據(jù)芯片激勵(lì)計(jì)劃分別向韓國(guó)三星電子、 德州儀器和安靠科技提供 47.45、16.1 和4.07 億美元資助。
可見，半導(dǎo)體領(lǐng)域是當(dāng)前科技大國(guó)之間競(jìng)相角逐的重要領(lǐng)域，未來(lái)圍繞科技領(lǐng)域的博弈或?qū)⑦M(jìn)一步加劇，因此實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)的需求尤為迫切。
從國(guó)內(nèi)政策來(lái)看，一方面，高層會(huì)議明確提出發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力并強(qiáng)調(diào)其重要性。23 年中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議首 次明確提出發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，隨后從金融支持層面陸續(xù)發(fā)布政策文件，進(jìn)一步聚焦支持科技創(chuàng)新等領(lǐng)域;24 年 12 月中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議提出，要以科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展，建設(shè)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系。
另一方面，并購(gòu)重組等相關(guān)政策基調(diào)獲進(jìn)一步強(qiáng)化。今年以來(lái)，新“ 國(guó)九條 ”、 “科創(chuàng)板八條 ”、“并購(gòu)六條 ”等政策陸續(xù)發(fā)布，北京、深圳、天津、安徽等地亦積極 部署支持并購(gòu)重組，明確支持科創(chuàng)板、創(chuàng)業(yè)板上市公司并購(gòu)產(chǎn)業(yè)鏈上 下游資產(chǎn)，增強(qiáng)“硬科技 ”、“三創(chuàng)四新 ”屬性。
從產(chǎn)業(yè)自身來(lái)看，當(dāng)前我國(guó)集成電路關(guān)鍵核心領(lǐng)域仍存“卡脖子 ”等挑戰(zhàn)， 疊加產(chǎn)業(yè)鏈“斷鏈脫鉤 ”的潛在風(fēng)險(xiǎn)，因此亟需加速推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。半導(dǎo)體屬于技術(shù)、資金壁壘很高的行業(yè)，強(qiáng)者恒強(qiáng)的特征尤為顯著，并購(gòu)重組有助于加 強(qiáng)市場(chǎng)、技術(shù)、 資金等資源整合，形成規(guī)模效應(yīng)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同和優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，從而提升行業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力;同時(shí)半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)普遍研發(fā)投入大，投資回報(bào)周期長(zhǎng)，并購(gòu)新政明確放開未盈利資產(chǎn)并購(gòu)，將進(jìn)一步支持行業(yè)龍頭企業(yè)有效并購(gòu)優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)。
展望 2025 年全年，AI、信創(chuàng)領(lǐng)域等驅(qū)動(dòng)預(yù)計(jì)持續(xù)強(qiáng)勁，同時(shí)消費(fèi)補(bǔ)貼政策刺激疊加新一輪創(chuàng)新周期下，終端需求有望迎來(lái)逐步改善;半導(dǎo)體作為新質(zhì)生產(chǎn)力重要引擎，預(yù)計(jì) 2025 年仍將是市場(chǎng)熱點(diǎn)主題，盡管外部環(huán)境或?qū)⒚媾R大國(guó)科技博弈加劇， 但國(guó)內(nèi)政策層面從財(cái)政、金融、產(chǎn)業(yè)等多維度予以支持，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、行業(yè)格局將通過(guò)并購(gòu)重組等措施不斷優(yōu)化，建議關(guān)注 AI 驅(qū)動(dòng)下成長(zhǎng)空間有望進(jìn)一步打開的先進(jìn)封裝、存儲(chǔ)龍頭，以及充分受益于國(guó)產(chǎn)替代、業(yè)績(jī)確定性強(qiáng)的半導(dǎo)體設(shè)備板塊等。
我們篩選出以下潛力標(biāo)的
北方華創(chuàng)(002371)公司刻蝕機(jī)、PVD、氧化\擴(kuò)散設(shè)備、清洗機(jī)等已陸續(xù)供應(yīng)武漢新芯、華力微電子等集成電路制造廠商。
中微公司(688012)公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國(guó)際一線客戶從 65 納米到 14 納米、 7 納米和 5 納米及更先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。
通富微電(002156)公司在 DRAM和NAND方面持續(xù)布局，產(chǎn)品覆蓋 PC 端、移動(dòng)端及服務(wù)器。
參考資料：國(guó)開證券-半導(dǎo)體行業(yè)策略報(bào)告：AI驅(qū)動(dòng)疊加政策提振 行業(yè)將迎新成長(zhǎng).pdf
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