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    iPhone 7將搭載新閃存技術(shù) 速度暴增

    2015-08-07 10:16 · 稿源:站長之家

    站長之家(chinaz.com)8月7日消息,近期SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存,而根據(jù)最新的消息,這種新閃存將很有可能被應用到蘋果將在2016年推出的iPhone 7身上,帶來更快、更大的存儲速度和空間。

    iPhone 7將搭載新閃存技術(shù) 速度暴增

    這次開發(fā)的世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存,采用3bit/cell多值化技術(shù),容量為32GB,據(jù)悉無論是在速度還是效率上都要超過現(xiàn)有的任何產(chǎn)品。并且還兼具比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍,和低能耗的優(yōu)勢,很適合手機和平板電腦的設(shè)備。

    蘋果和SanDisk、東芝這兩家巨頭早已是合作伙伴,如此優(yōu)秀的技術(shù)怎么可能收為己有,所以蘋果會在第一時間為自己的產(chǎn)品使用這種最新的閃存技術(shù)是很有可能的。

    離iPhone 6s、iPhone 6s Plus發(fā)布還有一段時間,iPhone 7的各種消息漫天飛,果迷們消化得了嗎?

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