站長之家(ChinaZ.com) 1月28日消息:電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）今天正式發(fā)布了 HBM3高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范了產(chǎn)品的功能、性能以及容量、帶寬等特性。
圖片來自SK Hynix
據(jù)介紹，HBM3高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)較現(xiàn)有的 HBM2和 HBM2e 標(biāo)準(zhǔn)再次迎來了巨大的提升。JEDEC 官方新聞稿寫道，JESD238為新一代 HBM3動態(tài)隨機(jī)存儲器指定了發(fā)展方向。除了6.4Gb/s 速率 @819GB/s 的帶寬，它還支持16-Hi 堆棧 @64GB 容量。
JEDEC 規(guī)定每層芯片的容量為8Gb 至32Gb 可選（1GB~4GB），第一代產(chǎn)品預(yù)計為單層16Gb。為了滿足市面上對于這類內(nèi)存可靠性、壽命的需求，HBM3引入了強(qiáng)大的片上 ECC 糾錯功能，同時具有實時報告錯誤的能力。
HBM3運用了創(chuàng)新方案，旨在帶來更高帶寬、更低功耗、以及更密集的單位容量，能夠極大推動圖形處理、高性能計算和服務(wù)器等領(lǐng)域的使用體驗。
（舉報）