近日，全球功率半導(dǎo)體革命的領(lǐng)導(dǎo) 者英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司?InnoScience(Suzhou)TechnologyHoldingCo.，Ltd.(簡稱“英諾賽科”)向港交所遞交招股書，擬香港主板掛牌上市。

據(jù)招股書顯示，英諾賽科由駱薇薇博士創(chuàng)立，公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的應(yīng)用與研發(fā)，是全球頭家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，同時也是全球最 大的8英寸硅基氮化鎵器件制造商，也是全球唯 一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。

氮化鎵（GaN）是一種具有高頻率和低導(dǎo)通電阻的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)變革的核心。

英諾賽科設(shè)計(jì)、開發(fā)及生產(chǎn)若干類型的氮化鎵產(chǎn)品，包括分立器件及集成電路、晶圓、模組，產(chǎn)品應(yīng)用于包括消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等廣泛領(lǐng)域，為客戶持續(xù)賦能。

英諾賽科是全球頭家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，與傳統(tǒng)的6英寸晶圓相比，晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%，單一器件成本降低30%。英諾賽科擁有全球最 大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，截至2023年12月31日，產(chǎn)能達(dá)到每月10，000片晶圓，晶圓良率超過95%。

同時，在封裝技術(shù)方面，為確保氮化鎵產(chǎn)品的可靠性，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品最 佳的性能，英諾賽科不斷創(chuàng)新封裝形式，并在各個應(yīng)用領(lǐng)域就封裝技術(shù)進(jìn)行針對性優(yōu)化。憑借穩(wěn)定的生產(chǎn)力和產(chǎn)品可靠性，截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，公司的累計(jì)出貨量超過5億顆，是全球氮化鎵出貨量最 大企業(yè)。

董事高管方面，英諾賽科董事會由11名董事組成，包括4名執(zhí)行董事，3名非執(zhí)行董事，4名獨(dú)立非執(zhí)行董事，除執(zhí)行董事外，高管包括副總經(jīng)理倪景華先生，副總經(jīng)理李新華先生，副總經(jīng)理陳鈺林先生。

倪景華先生畢業(yè)于武漢理工大學(xué)，并于2008年6月獲上海交通大學(xué)軟件工程碩士學(xué)位。于2023年1月加入英諾賽科，擔(dān)任研發(fā)部副總經(jīng)理。倪景華先生在半導(dǎo)體技術(shù)行業(yè)擁有豐富經(jīng)驗(yàn)。在加入英諾賽科之前，倪先生于2002年6月至2021年6月?lián)沃行?國際集成電路制造（上海）技術(shù)研究發(fā)展總監(jiān)。

李新華先生于2002年7月于中國上海交通大學(xué)獲材料科學(xué)與工程學(xué)士學(xué)位，并于2015年1月于中國北京大學(xué)獲軟件工程領(lǐng)域工程碩士學(xué)位。2020年5月加入英諾賽科，曾擔(dān)任英諾珠海廠長等職務(wù)。李新華先生在半導(dǎo)體技術(shù)行業(yè)擁有豐富經(jīng)驗(yàn)。在加入英諾賽科之前，曾任職于中芯國 際集成電路制造（北京）有限公司及中芯北方集成電路制造(北京)有限公司。

陳鈺林先生畢業(yè)于中國河北工程大學(xué)，獲電機(jī)工程自動化學(xué)士學(xué)位。于2017年11月加入英諾賽科公司。陳鈺林先生在功率半導(dǎo)體及電源行業(yè)擁有豐富工作經(jīng)驗(yàn)。

英諾賽科此次IPO的團(tuán)隊(duì)主要有:中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人;畢馬威為其審計(jì)師;澄明則正、高偉紳分別為其公司中國律師、香港及美國律師;仲量聯(lián)行為其物業(yè)估值師;弗若斯特沙利文為其行業(yè)顧問。

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