集邦咨詢（TrendForce）指出：包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的具有高功率與高頻特性的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車(chē)（EV）和快充電池市場(chǎng)具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿ΑｎA(yù)計(jì)第三代功率半導(dǎo)體的產(chǎn)值，將從 2021 年的 9.8 億美元、增長(zhǎng)到 2025 年的 47.1 億美元 —— 符合年增長(zhǎng)率（CAGR）為 48% 。（圖自：TrendForce） 首先展望下大功率的碳化硅（SiC）器件，其能夠在儲(chǔ)能、風(fēng)電、光伏、EV 新能源等領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。目前市面上的電動(dòng)汽車(chē)，其功率半導(dǎo)體仍更加依賴(lài)于硅基材料（IGBT / MOSFET）。 不過(guò)隨著 EV 電池動(dòng)力系統(tǒng)逐漸發(fā)展...

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