全球主要的兩種存儲芯片中，NAND閃存已經(jīng)進(jìn)入3D時(shí)代，容量比2D時(shí)代大幅提升，DRAM內(nèi)存還停留在2D，現(xiàn)在美國NEO半導(dǎo)體公司日前宣布了全球首款3D內(nèi)存，旨在解決內(nèi)存容量瓶頸，容量追上SSD不是問題。NEO是美國一家存儲芯片技術(shù)公司，此前推出的3D+X-NAND閃存號稱解決了TLC、QLC閃存的性能及耐用性問題，這次推出的3D+X-DRAM又號稱全球首款類3D+NAND的內(nèi)存技術(shù)，將內(nèi)存帶入3D時(shí)代，要做內(nèi)存行業(yè)的游戲規(guī)則改變者。不過NEO公司的問題在于他們自己沒有晶圓廠，因此3D+X-DRAM投入生產(chǎn)還要靠合作，他們計(jì)劃尋找授權(quán)廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數(shù)、鎧俠等等。...

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