4月24日消息，三星將逐步停產(chǎn)1y/1z制程8Gb DDR4內(nèi)存，并停止HBM2E產(chǎn)品生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向新一代HBM3E和HBM4研發(fā)。隨著AI、高性能計算需求激增，HBM市場前景廣闊，但三星在該領(lǐng)域落后于SK海力士和美光。為應(yīng)對競爭，三星需加快技術(shù)迭代。美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用DDR4模塊，SK海力士也計劃減少DDR4產(chǎn)量。中國內(nèi)存廠商崛起加劇行業(yè)競爭，長鑫存儲已量產(chǎn)16納米DDR5，并計劃2025年提升產(chǎn)能，2026年進軍LPDDR5和車用DRAM市場，未來或?qū)⑸孀鉎BM領(lǐng)域。...

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