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未來(lái)再無(wú)西部數(shù)據(jù)SSD！已拆分NAND業(yè)務(wù)給閃迪
西部數(shù)據(jù)已將其NANDFlash業(yè)務(wù)完全拆分給其全資子公司閃迪。這一舉措意味著西部數(shù)據(jù)將不再生產(chǎn)和銷售SSD產(chǎn)品，未來(lái)將專注于機(jī)械硬盤(pán)市場(chǎng)?，F(xiàn)有西部數(shù)據(jù)SSD用戶的售后應(yīng)該也會(huì)由閃迪負(fù)責(zé)，畢竟閃迪是西部數(shù)據(jù)的子公司，售后不會(huì)有什么問(wèn)題。
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三星計(jì)劃2030年實(shí)現(xiàn)1000層NAND！使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)
隨著NAND閃存技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，三星電子公布的路線圖顯示，計(jì)劃到2030年開(kāi)發(fā)出1000層的NAND閃存。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星計(jì)劃引入一種名為多BV”的NAND結(jié)構(gòu)，通過(guò)堆疊四片晶圓來(lái)突破結(jié)構(gòu)限制。除了晶圓鍵合技術(shù)外，三星還計(jì)劃在未來(lái)的NAND生產(chǎn)中引入多種關(guān)鍵技術(shù)，包括低溫刻蝕和鉬的使用，這些技術(shù)將從400層NAND開(kāi)始應(yīng)用。
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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技術(shù)，憑借4.8Gb/sNAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。除非法律要求，否則閃迪不承擔(dān)更新或修訂這些前瞻性聲明以反映新信息或事件的義務(wù)。
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三星西安工廠計(jì)劃削減NAND閃存產(chǎn)量：減少10%以穩(wěn)定市場(chǎng)價(jià)格
快科技1月13日消息，據(jù)報(bào)道，三星位于西安的NAND閃存工廠計(jì)劃削減產(chǎn)量，減少10%以上，平均月產(chǎn)量從20萬(wàn)片晶圓降至17萬(wàn)片。與此同時(shí)，三星在韓國(guó)華城的兩條關(guān)鍵生產(chǎn)線12號(hào)和17號(hào)，也面臨產(chǎn)量調(diào)整，旨在進(jìn)一步縮減整體產(chǎn)能規(guī)模。當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)深陷供過(guò)于求的困境，業(yè)界普遍預(yù)測(cè)今年價(jià)格將遭遇大幅滑坡。在此背景下，三星此番舉措被視為旨在維護(hù)自身盈利能力、促進(jìn)市場(chǎng)價(jià)格穩(wěn)定的戰(zhàn)略部署。值得注意的是，與三星的保守策略形成鮮明對(duì)比的是，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士正積極擴(kuò)大NAND閃存的生產(chǎn)規(guī)模，并對(duì)自家新技術(shù)展現(xiàn)出高度自信。這不僅
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需求疲軟價(jià)格持續(xù)下跌：NAND閃存大廠美光減產(chǎn)10%！
快科技12月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，面對(duì)市場(chǎng)需求疲軟和價(jià)格持續(xù)下跌的壓力，NAND閃存大廠美光將減少10%的NAND晶圓產(chǎn)量，以調(diào)控供給量，期望借此提振市場(chǎng)需求。美光此前公布的財(cái)報(bào)及展望顯示，盡管財(cái)務(wù)數(shù)字符合市場(chǎng)預(yù)期，但展望卻低于預(yù)期，主要由于消費(fèi)性電子需求未見(jiàn)好轉(zhuǎn)，客戶庫(kù)存仍偏高。美光經(jīng)營(yíng)層指出，即使是與HBM2一起引領(lǐng)市場(chǎng)的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，到2025年第一季，需求也在放緩。雖然美光認(rèn)為企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)需求放緩是短期問(wèn)題，但考慮到全球經(jīng)濟(jì)的不確定性，2025年上半年內(nèi)存市場(chǎng)難以樂(lè)觀。還有廠商指出，若僅是供需問(wèn)題，原廠減產(chǎn)?
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三星第9代V-NAND閃存將首次采用鉬材料：可降低層高和延遲
三星在其第9代V-NAND閃存技術(shù)的革新中，巧妙地在金屬化工藝環(huán)節(jié)引入了鉬作為替代材料，與之并行的另一路徑則繼續(xù)沿用傳統(tǒng)的鎢材料。面對(duì)鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉(zhuǎn)向鉬，這一轉(zhuǎn)變不僅有望實(shí)現(xiàn)層高30%至40%的進(jìn)一步縮減能顯著降低NAND閃存的響應(yīng)時(shí)間，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)前所未有的性能飛躍。這一趨勢(shì)預(yù)示著六氟化鎢市場(chǎng)將面臨不可避免的收縮壓力含鉬材料的市場(chǎng)則將迅速崛起。
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鎧俠公布3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖：計(jì)劃2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊
鎧俠最近公布了3DNAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。自2014年以來(lái)，3DNAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。值得注意的是，提高3DNAND芯片的密度并非僅僅意味著增加層數(shù)，更涉及到制造過(guò)程中可能遇到的一系列新問(wèn)題和技術(shù)挑戰(zhàn)。
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賣太便宜！SSD還要暴力漲價(jià)：NAND芯片價(jià)格短期內(nèi)將再漲50%
快科技1月6日消息，據(jù)供應(yīng)鏈最新消息稱，由于當(dāng)前存儲(chǔ)價(jià)格賣的實(shí)在是太便宜，導(dǎo)致不少?gòu)S商虧損嚴(yán)重，所以相關(guān)價(jià)格繼續(xù)上漲就沒(méi)有太多懸念。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAND相關(guān)業(yè)者表示，NAND芯片供應(yīng)商為達(dá)賺錢目的，將持續(xù)強(qiáng)力拉抬報(bào)價(jià)，預(yù)料還要再漲四成以上，才能讓大廠跨過(guò)損平基準(zhǔn)，要能賺錢，未來(lái)報(bào)價(jià)漲幅至少會(huì)達(dá)五成甚至更高。這意味現(xiàn)在NAND芯片價(jià)格揚(yáng)升，只是漲價(jià)首部曲，下一波漲勢(shì)好戲在后頭，短期內(nèi)將再迎來(lái)一波高達(dá)50%的暴力漲價(jià)。為了?
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倒逼國(guó)產(chǎn)漲價(jià)失去競(jìng)爭(zhēng)力！三星將NAND產(chǎn)量削減40%-50% SSD等存儲(chǔ)繼續(xù)漲價(jià)
據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，為了讓存儲(chǔ)價(jià)格繼續(xù)上漲，三星會(huì)進(jìn)一步減產(chǎn)，這勢(shì)必會(huì)對(duì)行業(yè)帶來(lái)更大的影響。報(bào)道中提到，三星電子計(jì)劃到明年上半年為止，將NAND生產(chǎn)量削減規(guī)模擴(kuò)大40%-50%，此舉推高了NAND價(jià)格。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手很可能也會(huì)效仿三星的做法，提高NANDFlash快閃存儲(chǔ)的定價(jià)，這也會(huì)倒逼國(guó)產(chǎn)廠商被動(dòng)進(jìn)入漲價(jià)，從削弱競(jìng)爭(zhēng)力。
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三星將在明年量產(chǎn)300層NAND閃存芯片：2030年實(shí)現(xiàn)1000層
今天，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人LeeJung-Bae發(fā)表文章，稱三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運(yùn)行芯片，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)三星還正在開(kāi)發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級(jí)DRAM芯片。因此業(yè)內(nèi)人士表示三星可能會(huì)在第10代430層產(chǎn)品中開(kāi)始采用三重堆疊技術(shù)。
