突破性進(jìn)展！中國公司發(fā)布SOT-MRAM技術(shù)，助力大規(guī)模存儲

在近期舉行的國際微電子領(lǐng)域權(quán)威會議IEDM上，來自中國的浙江馳拓科技宣布了其在SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機(jī)存取存儲器）技術(shù)方面的重大成就。

馳拓科技開發(fā)了一種創(chuàng)新的器件結(jié)構(gòu)，適用于大規(guī)模制造，有效解決了SOT-MRAM在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的挑戰(zhàn)。該結(jié)構(gòu)將MTJ直接放置在兩個底部電極之間，并支持過刻蝕，顯著簡化了工藝流程，提高了良率。

這一突破性設(shè)計使SOT-MRAM器件在12英寸晶圓上的位元良率從99.6%提升至99.9%以上，滿足了大規(guī)模制造的要求。此外，該器件實現(xiàn)了2納秒的寫入速度，超過萬億次的寫入/擦除操作次數(shù)，并具有持續(xù)微縮的潛力。

作為一種高性能非易失存儲技術(shù)，SOT-MRAM擁有納秒級寫入速度和無限次的擦寫次數(shù)。它有望取代CPU各級緩存，解決當(dāng)前SRAM成本和靜態(tài)功耗過高等問題。

傳統(tǒng)方案在制造工藝上存在挑戰(zhàn)，特別是低刻蝕良率限制了其大規(guī)模生產(chǎn)。馳拓科技的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)有效解決了這一問題，為SOT-MRAM的大規(guī)模應(yīng)用鋪平了道路。

（舉報）