快科技12月26日消息，據(jù)媒體報道，在國際微電子領(lǐng)域頂級學(xué)術(shù)會議IEDM第70屆年度會議上，來自中國的浙江馳拓科技發(fā)布了一項突破性的SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器）技術(shù)進(jìn)展，解決了該技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。馳拓科技首次提出了適合大規(guī)模制造的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結(jié)構(gòu)，顯著降低了SOT-MRAM工藝流程的復(fù)雜性和難度，并從原理上提升了器件良率。該結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新之處在于將MTJ直接放置在兩個底部電極之間，并允許過刻蝕，從而大幅度增加了刻蝕窗口，降低了刻蝕過程的難度。這一突破性設(shè)計使得12英寸晶圓上SOT-MRAM?...

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